Ученые СО РАН предложили способ защиты диоксида гафния от перегрева

В пресс-службе Института физики полупроводников СО РАН сообщили о разработке метода, позволяющего сохранить свойства диоксида гафния при высоких температурах. Этот материал перспективен для создания транзисторов и энергонезависимой памяти. Об этом пишет сайт Ferra.

Стабильные пленки ученые получили, чередуя слои диоксида гафния и оксида алюминия в пропорции 15:1. Выращивание материала проводилось методом атомно-слоевого осаждения на базе Курчатовского института.

Как показали исследования, нужная фаза сохраняется при нагреве до 900 градусов Цельсия. Однако при температуре выше 800 градусов кремний начинает забирать кислород из диоксида гафния, что ухудшает его характеристики. Чтобы избежать этого, исследователи предлагают ограничить нагрев 750 градусами и использовать тонкий барьерный слой.

Разработка может найти применение в двухзатворных транзисторах, энергонезависимой памяти и оборудовании для мобильной связи нового поколения. В пресс-службе отметили, что ресурс памяти на основе диоксида гафния потенциально способен значительно превысить около 10 тысяч циклов записи, характерных для флэш-памяти.